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首页应用案例医疗产品Microcrystal晶振,CC8A-T1A晶振,AT切晶振

    Microcrystal晶振,CC8A-T1A晶振,AT切晶振

  • 产品型号:62680522
  • 晶振频率:24.000~50.000MHZ
  • 晶振尺寸:2.0*1.2*0.6mm 详细资料参考PDF
  • 产品应用: 贴片石英晶振最适合用于车载电子领域的小型表面贴片石英晶体谐振器.也可对应有高可靠性要求的引擎控制用CPU的时钟部分简称为时钟晶体振荡器,在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞...
    微晶晶振环保基本理念:
    1.作为良好的企业市民,遵循本公司的行动方针,充分关心维护地球环境.遵守国内外的有关环保法规.
    2.保护自然环境,充分关注自然生态等方面的环境保护,维持和保全生物多样性.
    3.有效利用石英晶体,贴片晶振材料资源和能源,认识到资源和能源的有限性,努力进行石英晶振,有源晶体振荡器,水晶振荡子等原材料的有效利用.
    4为构建循环型社会做出贡献,致力于减少废弃物及废弃物的再利用核再生循环,努力构建循环型社会.
    5.推进晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器, 压电石英晶体、有源晶体等元器件的环保型业务,充分发挥综合实力,推进环保型业务,为减轻社会的环境负荷做出贡献.
    6.建立环境管理系统,充分运用环境管理系统,设定环境目的和目标,定期修正,不断改善,努力预防环境污染.


Microcrystal晶振,CC8A-T1A晶振,AT切晶振,频率24 – 50MHZ,封装尺寸:2.0*1.2*0.6mm
微晶晶振规格 单位 CC8A-T1A晶振 石英晶振基本条件
标准频率 f_nom 24 – 50MHZ 标准频率
储存温度 T_stg -55°C ~ +125°C 裸存
工作温度 T_use -40°C ~ +85°C 标准温度
激励功率 DL 250μW Max. 推荐:1μW ~ 100μW
频率公差 f_— l ±50 × 10-6 (标准),
(±50 × 10-6 ~ ±100 × 10-6 可用)
+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.taiheth.com
频率温度特征 f_tem ±50 × 10-6/-20°C ~ +70°C 超出标准的规格请联系我们.
负载电容 CL 3.0 / 9.0 / 16.0PF 不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR) R1 如下表所示 -40°C —  +85°C, DL = 100μW
频率老化 f_age ±3 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年


    卤化合物
    请勿在卤素气体环境下使用产品。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。
    静电
   
过高的静电可能会损坏产品,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。
   
在设计时
    机械振动的影响
    当晶体产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如:压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响。
这种现象对通信器材通信质量有影响。尽管晶体产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作。

    PCB设计指导
    (1) 理想情况下,机械蜂鸣器应安装在一个独立于晶体器件的PCB板上。如果您安装在同一个PCB板上,最好使用余量或切割PCB。当应用于PCB板本身或PCB板体内部时,机械振动程度有所不同。建议遵照内部板体特性。
    (2) 在设计时请参考相应的推荐封装。
    (3) 在使用焊料助焊剂时,按JIS标准(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).来使用。
    (4) 请按JIS标准(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)来使用无铅焊料。

质量政策
    微晶晶体振荡器术语及应用说明
    标称频率:晶体振荡器的中心或标称输出频率。
    封装:晶体振荡器从引脚通孔到表面贴装类型封装成各种类型。各种尺寸和功能适用于不同的应用。
    频率容差:在室温下以百万分率(ppm)表示的与标称频率的偏差。(25°±5°C)
    频率范围:振荡器类型或型号可提供的频段。
    频率稳定度:相对于在温度窗口25°C时测得的频率(即0°C至+ 70°C)的最大允许频率偏差。典型稳定度为±0.01%(±100 ppm)。
    工作温度:输出频率和其他电气,环境特性符合规格的温度范围。
    老化:相对频率在一段时间内发生变化。这种频率变化率通常是指数性的。通常情况下,最多1年的老化率为±5 ppm。
    存储温度:在不损坏或改变设备性能的情况下安全存放设备的温度范围(未施加电源电压)。
    频率与电源变化:当电源电压在指定限制内??变化时,允许的最大频率变化(典型值±10%Vcc或±5%变化)。
    电源电压(Vdd max):可以安全施加到Vcc端子相对于地的最大电压。TTL的最大电源电压为5.5V,HCMOS的最大电源电压为6V。
    输入电压(VIN):可安全施加到振荡器任何输入端的最大电压。
    输出高电压(VOH):正常负载下振荡器输出端的最小电压。
    输出低电压(VOL):适当负载下振荡器输出端的最大电压。
    电源电流(Icc):流入Vcc端子的电流相对于地。典型的电源电流在无负载情况下测量
    对称或占空比:输出波形在特定电平(TTL为1.4V,HCMOS为1 / 2Vcc或ECL为1/2波形峰值电平)时的对称性。
    SYM = TH / T×100(%); 参见图1。
    上升时间(Tr):在指定电平(HCMOS,ECL为20%至80%,TTL为0.4V至2.4V)下,从低电平到高电平转换的波形上升时间。
    下降时间(Tf):在特定电平(HCMOS,ECL为80%至20%,TTL为2.4V至0.4V)下测量的从高电平到低电平转换的波形下降时间。


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