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    NDK晶振,石英晶振,NX1612SB晶振

  • 产品型号:77739801
  • 晶振频率:26.000~76.800MHZ
  • 晶振尺寸:1.6*1.2*0.45mm 详细资料参考PDF
  • 产品应用: 贴片晶振采用了多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等)。使用此镀...


  日本电波工业株式NDK晶振所说的LCA指的是“生命周期评估”,它包括评估产品的寿命。在这里,产品的生命不仅仅是产品本身的制造阶段,而是包括原料组成产品的零件/材料的开采阶段,包括产品的制造阶段,销售阶段,包括到产品交付给用户使用的阶段,包括产品使用由用户和维修/维护参与它,和处置阶段,通过用户废弃产品回收,回收或处置。在ISO14000系列环境标准中也建立了国际标准。
    日本电波工业株式NDK晶振超低电压驱动的CO2排放量(0.8V ~)型
时钟晶体振荡器(nz2520sf)采用最先进的技术和传统的产品开发(2700系列)是由环境LCA技术相比。二氧化碳排放量的计算量的部分制造,产品制造和我们的产品纳入笔记本电脑的功耗,以及产品运输的燃料消耗量。所采用的分析方法是“现场类型”,研究工厂和生产线单位的功耗,然后从产品的总金额,每产品的功耗。

NDK晶振规格 单位 NX1612SB晶振 石英晶振基本条件
标准频率 f_nom 26 - 76.8 MHz 标准频率
储存温度 T_stg −40 - +85 °C 裸存
工作温度 T_use −30 - +85 °C 标准温度
激励功率 DL 10μW Max. 推荐:1μW ~ 100μW
频率公差 f_— l ±10 × 10-6 (标准),
(±10 × 10-6 ~ ±12 × 10-6 可用)
+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.taiheth.com
频率温度特征 f_tem ±10 × 10-6/-30°C ~ +85°C 超出标准的规格请联系我们.
负载电容 CL 7PF 不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR) R1 如下表所示 -40°C —  +85°C, DL = 100μW
频率老化 f_age ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年

   
晶振使用说明
    支架:一个箱体,内装一块薄薄的石英晶体或带有真空蒸发金属电极的晶体条和用于连接的端子。
    频率:每秒输出波形的周期数。频率单位是每秒周期数,或赫兹,缩写为Hz。
    基本模式:晶体的主要模式。
    Overtone模式:根据指定的振荡模式分配给奇数的频率。标准的第三种泛音模式,其次是第五,第七,第九等。超越第九种泛音是不切实际的。这些频率并不完全是基频的三倍,五倍,七倍或九倍。
    频率容差:室温下与标称频率的允许偏差。频率容差以百分比表示,典型值为±0.005%或百万分率(ppm),±50ppm。
等效串联电阻:晶体在工作谐振电路中表现出的阻抗值。
    驱动电平:电路中晶体的功耗量。驱动电平以毫瓦或微瓦表示。过高的驱动电平会导致长期的频率漂移或晶体破裂。
    老化:相对频率在一段时间内发生变化。这种频率变化率通常是指数性的。通常情况下,老化在头30天内计算,并计算长期(一年或十年)。最高的老化率在手术的第一周内发生,之后缓慢下降。
    频率稳定度:与指定温度范围内(即0至+ 70°C)25°C时的测量频率相比,最大允许频率偏差。
    并联电容:并联电容(CO)是晶体端子之间的电容。它随封装而变化,通常它在SMD中较小(典型值为4pF),在含铅晶体中为6pF。
    杂散:通常在工作模式之上的不需要的共振,以dB最大值指定。或ESR的次数。频率范围必须指定。例如,在F0±200kHz的频率窗口中,杂散响应应至少为6dB或2.5×R。
    振动模式:石英晶体的振动模式随晶体切割而变化,例如AT切割和BT切割的厚度剪切,或音叉晶体的弯曲模式(+ 5oX)切割,或CT,DT切割的面切模式。最流行的切割是AT切割,它可以在宽广的温度变化范围内提供对称的频移。
    工作温度范围:晶体单元在特定条件下工作的温度范围。
    负载电容:负载电容(CL)是振荡器对两个晶体端子的总电容量。当晶体在并联模式下使用时,需要指定负载电容。
排放。

    自动安装时的冲击
    自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些产品。请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在安装前未对产品特性产生影响。条件改变时,请重新检查安装条件。同时,在安装前后,请确保晶体产品未撞击机器或其他电路板等。
    每
个封装类型的注意事项
    (1)陶瓷包装产品与SON产品
    在焊接陶瓷封装产品和SON产品 (MC-146晶振,RTC-****NB,RX-****NB) 之后,弯曲电路板会因机械应力而导致焊接部分剥落或封装分裂(开裂)。尤其在焊接这些产品之后进行电路板切割时,务必确保在应力较小的位置布局晶体并采用应力更小的切割方法。
    陶瓷包装产品
    在一个不同扩张系数电路板(环氧玻璃)上焊接陶瓷封装产品时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性。
    (2)陶瓷封装产品
    在一个不同扩张系数电路板(环氧玻璃)上焊接陶瓷封装产品时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性。
    (3)柱面式产品
    产品的玻璃部分直接弯曲引脚或用力拉伸引脚会导致在引脚根部发生密封玻璃分裂(开裂),也可能导致气密性和产品特性受到破坏。当晶体产品的引脚需弯曲成下图所示形状时,应在这种场景下留出0.5mm的引脚并将其托住,以免发生分裂。当该引脚需修复时,请勿拉伸,托住弯曲部分进行修正。在该密封部分上施加一定压力,会导致气密性受到损坏。所以在此处请不要施加压力。另外,为避负机器共振造成引脚疲劳切断,建议用粘着剂将产品固在定电路板上。
    
(4)DIP 产品
    已变形的引脚不能插入板孔中。请勿施加过大压力,以免引脚变形。
   
(5)SOJ 产品和SOP 产品
    请勿施加过大压力,以免引脚变形。已变形的引脚焊接时会造成浮起。尤其是SOP产品需要更加小心处理。

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