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Renesas瑞萨晶振
- 产品型号：83504160
- 晶振频率：25MHz
- 晶振尺寸：7.0*5.0*1.5mm
- 产品应用： 美国GED晶振,6G无线设备晶振,SMD100.3C(E/D)-25.000MHz晶振,美国通用晶振公司，GED晶振，石英晶振，贴片晶振，四脚晶振，有源晶振，环保晶振，6G卫星晶振，6G通讯无源晶振，环保无铅晶振，表面贴装HCMOS/TTL兼容振荡器...
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美国GED晶振,6G无线设备晶振,SMD100.3C(E/D)-25.000MHz晶振
美国GED晶振,6G无线设备晶振,SMD100.3C(E/D)-25.000MHz晶振,美国通用晶振公司，GED晶振，石英晶振，贴片晶振，四脚晶振，有源晶振，环保晶振，6G卫星晶振，6G通讯无源晶振，环保无铅晶振，表面贴装HCMOS/TTL兼容振荡器，HCMOS/TTL输出，5.0V供电电压，陶瓷SMD封装，可用于磁带和卷轴
美国GED晶振,6G无线设备晶振,SMD100.3C(E/D)-25.000MHz晶振
| 电气参数 | |
| 频率范围 | 1.0 to 133.000MHz |
| 频率容差 |
±20ppm ±25ppm ±50ppm ±100ppm |
| 工作温度 | 0°C to +70°C or –40°C to 85°C |
| 储存温度范围 | -55 ~ +125°C |
| 电源电压 | +5.0VDC ±10% |
| 输入电流 |
1.000MHz to 32.000MHz 20mA Max 33.000MHz to 49.000MHz 45mA Max 50.000MHz to 69.000MHz 50mA Max 70.000MHz to 133.000MHz 100mA Max |
| 对称性 | 50±10% Standard, 50±5% Available |
| 上升/下降时间 | 5nSeconds Typical, 10nSeconds Max |
| 5nSeconds Typical, 10nSeconds Max | |
| 输出电平 | VOL : 0.4V Max VOH : +2.4V Min |
| VOL : 0.5V Max VOH : VDD – 0.5V Min | |
| 输出负载 | CMOS, compatible, 1~10TTL Gates |
| 引脚1选项 | No connection Enable/Disable (Tristate) |
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美国GED晶振,6G无线设备晶振,SMD100.3C(E/D)-25.000MHz晶振
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